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Equipements

Equipements

Pulvérisation cathodique :

La plateforme est équipée de deux réacteurs permettant les dépôts de couches minces multicouches avec contrôle de la stœchiométrie:

Pulvérisation cathodique Magnetron RF PLASSYS MP300S (1997)
  • 2 Cathodes Magnétron (1’)
  • Générateur RF
  • Atmosphère Réactive (Ar, N2, O2)
  • Dépôt matériaux conducteurs, isolants, semi-conducteurs
  • Contrôle Température Substrat (Chauffage 600°C)

 

 

Pulvérisation Cathodique Magnetron DC multicible PLassys MP600S

  • Co-pulvérisation (clusters)
  • 2 Cathodes Magnétron (2’’)
  • 2 Générateurs RF, 1 Générateur DC
  • Atmosphère Réactive (Ar, N2, O2)
  • Dépôt matériaux conducteurs, isolants, semi-conducteurs
  • Contrôle Température Substrat (Chauffage 800°C)
  • Pilotage assurée par ordinateur

Évaporation thermique :

La plateforme dispose d'un bâti équipé d'une balance à quartz  pour les dépôts de métaux (Or, Cr) à épaisseur et rugosité contrôlées

Plassys ME 300 (2008)

  • Sources résistives
  • Dépôt métallique (Cr, Or,..)
  • Mesure Épaisseur (Balance Quartz)
  • Contrôle Température Substrat :
  •  - Chauffage (600°C)
  •  - Refroidissement (-40°C)

Dip Coating

Contrôle:

  • Vitesse substrat
  • Température
  • Humidité Relative

 

Spin coater avec programmateur :

Contrôle et répétabilité des paramètres du process (accélération, vitesse, décélération)

Microscope à force atomique

Imagerie, mesures mécaniques de routine

 

 

 

 

 

Microscopies à champ proche (AFM, EFM, MFM et STM) et optiques (SEEC)

 

 

Echantillons

  • Nature: isolants ou conducteurs
  • Préparation: adsorbés sur une surface plane
  • Dimension: jusqu’à 10 cm 

Scanners

  • XY= 10 ´ 10 m m Zmax=2mm : résolution atomique
  • XY= 100 ´ 100 m m Zmax=7mm + closed-loop (grande précision dans le replacement)

Environnements

  • T empérature: -20°C à 300°C
  • Liquide (cellule, circulation)
  • Atmosphère contrôlée (cloche)

Modes d’analyses

  • Imagerie 3D haute résolution ® Mesures é lectrique (et magnétique)
  • Spectroscopie de force 
  • Modification de surface sous pointe 
  •  Couplage microscopie-optique
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